买卖IC网 >> 产品目录 >> IPB16CNE8N G MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 53A datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

IPB16CNE8N G

库存数量：可订货
制造商：Infineon Technologies
描述：MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 53A
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 53A
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制造商 Infineon Technologies
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 85 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 53 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.0162 Ohms
配置 Single
最大工作温度 + 175 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TO-263
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 IPB16CNE8N G
IPB16CNE8NG
IPB17N25S3-100
IPB180N03S4L-01
IPB180N03S4L-H0
IPB180N04S302
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  • IPB16CNE8N G 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价